褚君浩是一位知名的科学家和学者，具有丰富的学术和研究经验。他的研究主要集中在红外光电子材料和器件领域。
他提出了广泛应用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）的禁带宽度公式，并构建了窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型。
此外，他还发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性，并确定了材料器件的光电判别依据。他还成功研制了PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器，并实现了热成像，在铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究方面作出了重要贡献。
他的窄禁带半导体物理研究成果具有国际领先水平，发表了200多篇论文。
此外，他还担任了多家公司和机构的独立董事，并被邀请为多部科学手册和专著进行修订。褚君浩的成就对中国物理科学和研究发挥了重要作用。
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